SiC制造设备国产新突破

  随着新能源汽车、光伏发电、AI算力等战略性新兴起的产业的快速地发展，第三代半导体材料碳化硅正面临日渐增长的精密加工挑战。

  作为行业技术引领者，矽加半导体凭借多年深耕，正式推出碳化硅衬底激光剥离与减薄全自动化产线，通过与后道抛光工艺的深度协同，为衬底加工提供完整的制程支持。

  碳化硅硬度高、脆性大，传统线切割加工方式存在材料损失大、易断线、表面损伤深等问题，制约了大尺寸衬底的良率与量产进程。为从源头改善加工质量，矽加推出了激光剥离与减薄自动化产线，涵盖晶锭减薄机、激光改质设备、超声波剥离设备、AGV搬运系统，并可与后续研磨抛光产线无缝衔接，形成完整的“晶锭进—衬底出”闭环制程。

  激光技术作为新一代高硬脆材料加工手段，通过精准控制激光在晶锭内部进行改质层扫描，实现材料“预分离”，从源头降低切削应力与表面损伤。结合超声波精准剥离，该技术可显著改善晶片内部应力分布，提升衬底可靠性，为8英寸及未来更大尺寸碳化硅衬造提供了明确技术路径。

  产线全程采用AGV与自动化控制管理系统，实现晶片在不同模块间的自主流转与精准定位，不仅大幅度减少人工干预、降低操作风险，更通过标准化流程保障工艺一致性与产品良率，积极做出响应国家人机一体化智能系统与产业自动化升级的政策导向。

  矽加半导体激光剥离与减薄自动化产线通过各模块深度协同与智能调度，在整线效能上实现显著突破：

  激光机作为产线核心加工单元，具备单片加工时间20–25分钟（8英寸） 的高效处理能力。

  显著提升生产效率：链式自动化消除了传统工序间繁琐的物料周转与定位，综合生产效率提升超30%，大幅度降低人工干预成本。

  确保工艺稳定性：智能控制管理系统统一调度各模块工艺参数，确保从激光改质到超声剥离的全程加工稳定性，整线产出衬底具备优异的一致性与可靠性。

  8英寸衬底已实现成熟自动化加工：产线英寸碳化硅衬底全自动化加工能力，在加工良率与成本控制方面达到行业先进水平。

  面向12英寸衬底的技术储备与验证：产线设计兼顾技术前瞻性，已具备12英寸工艺的验证能力，为未来产业升级提供扎实技术基础。

  随着全球碳化硅市场持续快速地增长，大尺寸、低成本、高效率的衬造能力已成为产业竞争的关键要素。

  矽加半导体本次发布的激光剥离与减薄自动化产线，不仅有效解决了传统加工模式中的高损耗、低效率与一致性难题，更以可验证的整线性能提升，为行业提供了稳定、可靠的衬底加工方案，明显地增强国内产业链的自主配套能力与整体竞争力。

  传承森松匠心精神，融合日本尖端技术，矽加半导体专注提供碳化硅衬底剥离、减薄、抛光全制程解决方案。 我们以“精磨每一片晶圆，成就每一颗芯片”为使命，依托产学研协同创新，持续提升超精密晶圆加工设施与工艺，助力先进半导体制造加快速度进行发展。